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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释......
分析并模拟了SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试,得到了......
